三星电子、SK海力士与美国科技巨头达成9500亿美元芯片合作
（来源：BenchmarkAGI Benchmark Studio）
韩国与美国科技巨头开启新一轮AI战略合作。三星电子、SK海力士与美国科技巨头达成9500亿美元芯片合作，覆盖HBM、先进存储和晶圆代工；英伟达与SK集团启动超5000亿美元AI基础设施计划，加码数据中心和下一代存储开发。
据路透社报道，韩国总统顾问金容范（Kim Yong-beom）周六在一场新闻发布会上透露，三星电子与SK海力士将与包括英伟达在内的美国大型科技公司达成总价值高达9500亿美元的存储芯片供应合作。
其中，SK海力士将向美国公司提供价值7500亿美元的长期存储芯片，三星电子则将向博通提供价值2000亿美元的芯片。
与此同时，英伟达与SK集团进一步公布了一项价值超过5000亿美元的AI基础设施计划。这一系列历史性巨额订单与基础设施投资不仅将直接缓解当前高带宽内存（HBM）供应链瓶颈，也为韩国芯片制造商锁定了长期且高度可见的收入预期，重塑了全球半导体市场的产能布局与投资格局。
在李在明总统访问硅谷期间，一位总统府高级官员就表示，三星电子和 SK 海力士将与美国领先的科技公司签署涉及 “巨额” 资金的重大协议。总统政策室长金容范本周对记者表示，这些公告可能包括新的长期存储芯片供应协议、战略投资伙伴关系和谅解备忘录。金容范表示，总统的访问起到了 “催化剂” 的作用，有助于促成韩国企业与其美国同行之间长期谈判的达成。
李在镕在旧金山的行程中参加了一场人工智能峰会，并分别会见了 Nvidia Corp. 的黄仁勋、OpenAI 的 Sam Altman、Anthropic PBC 的 Dario Amodei 以及 Broadcom Inc. 的陈福阳（Hock Tan）。此次人工智能峰会汇聚三星电子会长李在镕、SK 集团会长崔泰源、现代汽车集团会长郑义宣以及 Naver Corp. 创始人李海珍。
上个月，首尔公布了一项价值至少 8800 亿美元的投资计划，该计划由三星电子（Samsung Electronics）、SK 集团和 Naver 支持，旨在扩大芯片生产、建设 AI 数据中心，并加强其在半导体和具身智能（Physical AI）领域的领导地位。
本月早些时候，商务部长霍华德・卢特尼克（Howard Lutnick）敦促三星和 SK 海力士（SK Hynix）在美国扩大存储芯片生产。金表示，美国商务部长鼓励企业扩大本土制造是很自然的。
金补充道，国内最新的扩张计划是由美国科技公司的强劲需求驱动的，这些公司占据了基础订单的 80% 到 90%。
在硅谷人工智能峰会上，李预计发表了被总统府称为 “旧金山 AI 宣言” 的演讲，明确了韩国与美国在AI技术合作方面的核心愿景，并承诺向全球市场开放其“充满活力的AI生态系统”。
确保算力硬件的底层供应稳定性是此次合作的核心。在存储业务方面，三星将为博通下一代AI加速器提供先进存储解决方案；在晶圆代工方面，双方将围绕三星2纳米及以下先进制程共同开发博通产品，包括无线宽带通信芯片。合作还将延伸至基于三星2纳米工艺的2.3D、2.5D先进封装技术，以支持更高性能、更低功耗的AI及网络芯片。
在锁定底层芯片供应之外，超大规模数据中心建设成为另一项投资重点。
据报道，英伟达与SK集团超过5000亿美元的计划涵盖大型AI数据中心建设及下一代HBM开发。SK电讯（SK Telecom）将在韩国建设一座总容量达2吉瓦的AI数据中心，首个项目将采用英伟达Vera Rubin平台和SK海力士的HBM4内存。
该“AI工厂”的首个设施预计将于2027年（即明年）正式投入运营。这一两吉瓦规模的计划建立在SK电讯此前承诺建设千兆瓦级AI云基础设施的基础之上，资金来源可能包括全球科技公司、海外资本及其他战略合作伙伴。
英伟达CEO黄仁勋在接受采访时表示，现在正是“韩国的黄金时代”，韩国的半导体产业与工业体系正在同步蓬勃发展，并强调韩国是一个“有能力帮助世界构建AI基础设施的国家”。
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